以断电后存储数据是否丢失为标准，存储芯片（Memory）可分2类：一类是非易失性存储器（Non-Volatile Memory），这一类Memory 断电后数据能够存储，主要以NAND 电脑 Flash 为代表，常见于U 盘和SSD（固态硬盘)；
另一类是易失性存储器（VolatileMemory），这一类Memory 断电后数据不能储存，主要以DRAM 为代表， 两个领域，一个是手机的闪存，另外一个是固态硬盘SSD。。主要用来做PC机内存（如DDR）和手机内存（如LPDDR）
2016年全球半导体市场规模为3400亿美金，存储器就占了768亿美元。除了NAND Flash 和DRAM，Memory 还包含其他门类，例如Nor Flash、SRAM等。但从产值构成来分析，NAND Flash 和DRAM 是构成Memory 产业的核心构成，分别占据Memory 产值的37%和57%。
DRAM市场：
由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据；
DRAM全球高端垄断、国产DRAM是空白！在2017年的DRAM市场：
三星电子以44.5%的市场份额稳居市场第一；
SK海力士则以27.9%的市场份额紧追其后；
美光科技（22.9%）；
南亚科技（2.2%）；
存储特征：断电后数据不能存储电脑。
应用领域：主要是PC、手机、服务器的内存，分别占比30%、35%、15%。物联网领域的DRAM的应用也在渗透，占15%左右。
量价特征：目前主要是供给和需求决定DRAM的价格走势，而非技术升级。DRAM技术更新不明显，DDR3作为主流技术已经存续超过5年，技术提升带来的成本下降，没有NAND Flash那么明显。
市场空间与技术趋势：
1）2015年全球市场约410亿美元；
2）Trend Force预计2015年中国市场消耗DRAM高达120亿美元，占全球比重23.2%，预计到2018年，中国DRAM市场容量将达到210美元规模，占全球比重达到29%；
3）存储芯片（尤其是DRAM）持续紧缺，随着PC操作系统由32位转向64位，对于内存的需求大大增加，往往要从4GB升级至8GB乃至16GB，此外手机需求也是最大利好。
竞争格局：
1）3家垄断：三星、SK海力士、美光，合计占据全球95%以上份额，三家市占率约4：3：2。
2）巨头技术水平：三星已经大规模采用20nm制程，毛利率也达到40%；SK海力士采用25nm制程，毛利率也达到了40%；美光制程水平较靠后，以30nm为主，毛利率为25%左右。
国内企业在DRAM领域的市占率几乎为0。
紫光国芯：除了DRAM业务有前景，其余都是垃圾
2015年8月收购西安华芯51%股权，该公司申请DRAM专利为国内之最
报告期内，产品继续在服务器、个人计算机、机顶盒、电视机等方面稳定出货，强化了国产DRAM存储器供应商的领导地位。目前，公司DRAM存储器芯片及相关内存模组产品已形成完整的系列，产品接口覆盖SDR、DDR、DDR2和DDR3 DRAM。新开发的DDR4及LPDDR4等产品正在验证优化中，2018年会逐步推出。公司自主创新的内嵌ECC DRAM存储器产品，在有安全和高可靠性要求的工控、电力、安防、通讯和汽车电子等领域已实现批量销售。
紫光国芯的存储芯片毛利率和业绩都一般，才卖了3亿的产品，毛利率才7%，垃圾
智能卡芯片包括什么呢？
一是SIM卡，公司的4G的SIM卡广受东南亚市场欢迎。
二是二代身份证芯片。这个市场也算二胎概念吧（笑~~），新增成年人口越多，销量越大。
三是交通部标准的交通卡芯片。
特种集成电路是什么？？
福建晋华专注利基型内存的开发，主攻消费型电子市场，有望凭借着中国本有的庞大内需市场壮大自身产能，甚至在补贴政策下，预估最快2018年底可能将影响国际大厂在中国市场的销售策略，并且有机会取得技术IP走向国际市场。
合肥长鑫直捣国际大厂最核心的行动式内存产品。行动式内存已是内存类别中占比最高的产品，其省电技术要求极高，开发难度相当高。然而，中国品牌手机出货已占全球逾四成，
兆易创新重磅切入主流DRAM（动态随机存取存储器）赛道，打开成长新空间：公司携手合肥产投投资合肥长鑫，切入19nm主流DRAM领域。国内尚无DRAM 产能，长鑫最有希望突破，原计划于2019Q3正式推出8Gb LPDDR4，并达到2万片的月产能，实际于2018年7月提前超预期成功投片，未来有望实现进口替代，打开成长新空间。
封测企业
太极实业：A股最纯正的Memory封测标的，2009年与DRAM巨头海力士合资成立海太半导体，专门承接DRAM芯片封测。
深科技：2015年收购金士顿（KINSTON）核心封测厂商沛顿科技100%股权；2016年4月导入DDR4项目，截至今年6月底，出货量已经突破150万条。
晶方科技：2015年2月收购智端达科技，后者是原DRAM巨头奇梦达科技位于苏州工业园的封装测试和模组工厂。
NAND Flash市场
几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。其中三星居垄断地位NAND占37%。
存储特征：断电后数据能够存储，可大容量存储。
应用领域：闪存卡、U盘、SSD（固态硬盘）。
量价特征：除供需外，3D NAND技术采用更为先进制程和架构设计，单位材料可以存储更多信息，也可有效减少成本，导致NAND Flash价格走低。
市场空间与技术趋势：
1）2015年全球市场约300亿美元；中国市场预计60-70亿美元
2）SSD（固态硬盘）替代传统机械硬盘（HHD）的趋势不可阻挡，尤其是3D NAND闪存技术将提振SSD（固态硬盘）需求，在PC端、企业服务器领域渗透率提高将导致SSD出货量大增。NAND Flash已经取代手机基带/AP 和CPU，成为半导体产业创新驱动和产值的最大领域。
竞争格局：
1）4分天下：三星市占率连续保持在35%上下；东芝与闪迪（SanDisk）合占30%左右；再就是美光、海力士。以上四家市占率达到令人咋舌的99%。
2）中金公司预计，紫光国芯在NAND市场份额将占中国总需求的50%左右，即300亿人民币。
国内企业：
武汉新芯（长江存储）未来的龙头：主要产品为3D NAND，拟投入1600亿元，存储厂预计于2018年完工，2019年量产，首批产能为4万片，预计到2020年形成月产能30万片，到2030年每月产能100万片。
长江存储于2016年7月26日在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上正式成立，公司主要股东包括中国集成电路产业投资基金和紫光集团、湖北政府等，目前为清华紫光集团的子公司。设计的 NAND Flash 产品以为 32 层为主。
紫光国芯：从展讯到锐迪科，从西部数据（未遂，改合作）到美光（未遂），有点饥不择食的意思。垃圾
封测企业
天科技：2015年与武汉新芯签订战略合作协议，将部分承接后者的Memory封测订单。
市场规模较小的NOR Flash，
格局稍显分散，美光（占比25%）、Cypress（收购了飞梭半导体）、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家占据了90%以上份额。其中，
兆易创新(603986)目前国内稀缺，全球市占率在10%左右。
存储特征：断电后数据能够存储，主要用于存储代码。属于小容量型。
应用领域：手机、USB KEY、机顶盒等的代码闪存应用。
市场空间：2015年全球市场约30亿美元。
竞争格局：
1）空间小、格局分散，巨头逐步退出小容量、毛利较低的NOR Flash市场；
2）美光（占比25%）、Cypress（收购了飞梭半导体）、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家瓜分份额。
国内企业：
1）兆易创新：①国内稀缺的NOR Flash绝对龙头，目前全球市占率10%左右；
未来的增长点：还有随着0led的应用，汽车电子，物联网的一些器件也会用到nor flash
原因：随着美光、Cypress 等国际巨头退出市场，2017 年利基型存储器（小容量 NOR Flash/2DSLC NAND）出现供不应求的局面，市场上主要厂商仅剩下大陆的兆易创新和台湾的旺宏、华邦电子，呈现出三足鼎立的局面。面对供给缺口，各公司纷纷扩产，抢占市场
2）在 SLC NAND 领域，
兆易创新 2017 年开始量产，尚处于起步阶段，面对 NAND 大厂全力主攻大容量 3D NAND，使得 2D SLC NAND 存在较大进入空间。同时，2017 年兆易创新入股中芯国际，持股 1.0%，此次战略入股为兆易创新未来发展提供了支持和保证
目前，兆易创新已可以提供容量达 32Gb 的 SLC NAND 产品，制程上已于 2017 年量产了 38nm，正在提升 24nm 的良品率，尖端制程为 14/10nm。2018 年，兆易创新开始扩产 SLC NAND，保守估计年末月产能可达 5000 片，略低于去年 NOR 产能，考虑两项业务相似的毛利率，且 SLC NAND 与 NOR 具有重叠的客户群，容易放量。SLC NAND 这块业务有望成为新的业绩增长点
SLC NAND 这块业务主要应用于，，机顶盒、POS机、可穿戴设备和其他高安全应用提供带有集成式分区保护特性的单一非易失性内存，可帮助用户降低系统成本，提高系统的安全性。
3）MCU 即微处理器，俗称单片机。垃圾
即将 CPU、存储器（RAM 和 ROM）、多种 I/O 接口等集成在一片芯片上，形成的芯片级计算机。作为电子产品的“大脑”，MCU 负责电子产品中数据的处理和运算，因其高性能、低功耗、可编程、灵活性等优点，在网络通信、计算机、汽车电子、IC 卡、工业控制、消费电子等领域有着十分广阔的应用前景
MCU 市场持续扩张：2017 年 MCU 全球出货量同比增加 22%，营收达 168 亿美元
⑤兆易创新和合肥长鑫DRAM合作非常顺利！2017年10月，兆易创新宣布，与合肥长鑫进行19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目合作。目标在 2018 年12 月 31 日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于 10%。此次合肥长鑫的重要突破，也利好兆易创新的DRAM战略！