11月26日，由充电头网主办的2021(秋季)USB PD＆Type-C深圳南山科兴科学园如期举办亚洲展。作为2021年备受瞩目的消费类快充电源行业展览，近百家聚集在现场USB PD＆Type-C产业链企业，有上千款新产品展出。同时，本次展览也吸引了众多专业观众到现场，成为快速充电行业相关人士面对面谈判、技术交流、学习和成长的平台。
陕西亚成微电子有限公司 亚成微产品经理 周聪先生发表了《亚成微》PD主题演讲《快充功率集成方案》详细介绍了快充市场的产品需求和亚成微功率集成方案。
在研讨会上，周聪先生的演讲主要分为三个部分：公司介绍、快速充电市场产品需求和亚成微功率集成方案介绍。
亚成微电子有限公司成立于2006年，是西安高新区注册的国家高新技术企业。2014年1月在新三板上市(股票代码:430552)。公司专注于高速功率集成技术的设计，研发覆盖半导体功率IC主要产品包括和功率器件两类AC/DC电源管理芯片，包络跟踪射频功率放大器（ET-PA）、LED驱动芯片和功率MOSFET等。
亚成微研发生产总部位于西安，在厦门设有子公司，在深圳、宁波、中山设有办事处。
近年来，快充市场发展迅速，从最早的18点开始W到现在的120W，人们对快速充电的需求变化。从快速充电的功率和功能、产品便携性到价格，消费者的追求是无穷无尽的，这也给亚成微带来了机遇和挑战。
对于快速充电制造商来说，每个人都希望得到一个简单、易于生产、直通率高、成本低的解决方案。在缺货的背景下，制造商也希望得到稳定供应的产品支持。
从研发人员的角度来看，易于设计、更稳定、更好的指标是关键。电脑
亚成微认为，快速充电的未来走向功率集成，为客户带来更简单的产品设计、更低的成本和更稳定的供应。功率集成不是简单的封闭，功率集成是指功率器件和控制器的合理
以下是亚成微功率集成方案的介绍。功率集成具有较低的寄生参数，以提高可靠性。同时，外围电路更加精简，供应简化，可以更好地控制厂家的成本。
就功率集成的包装优点而言，最小的寄生参数可以满足设计要求。在反激电路设计中，杂散参数会影响效率。在高频氮化镓电源的应用中，振铃和环路过大EMI使用密封可以大大降低杂散参数，提高产品稳定性。
亚成微成功率产品线介绍，亚成微自主研发高压超结MOS，采用多层外延工艺，自主研发也采用了功率集成方案MOS，匹配优化设计。亚成微功率器件供应稳定充足，月投产达到2K片。
亚成微在功率器件上设计了与高压启动管和高压启动电阻相匹配的功率集成MOS，应用匹配快充。除高压启动外，还支持自供电功能PD对宽电压的快速充电需求。
除了带启动管，还有带耗尽的超结MOS设计、温度检测和电流检测Trench MOS，用于智能功率开关产品。
亚成微20-30W自供电双绕组参考设计采用高压启动自研超结MOS，特别之处在于VCC是自供电，不需要VCC供电绕组也不需要考虑输出电压的变化VCC支持0到任何输出电压的影响。高压导线没有集成在封装上。
当芯片内部集成高压启动时，特别是功率集成方案、高压导线冲孔、坍塌、靠近相邻低压线的问题，会在长期工作过程中形成游离碳，导致电击穿。为了解决这个问题，亚成微在超结MOS制作高压启动管或超结MOS制作高压启动电阻，以满足高压启动功能，密封内无高压引线，保证芯片的可靠性和安全性。
亚成微在设计之初就超过了MOS配套设计寄生参数和驱动能力，严格控制MOS打开时di/dt以及Vds下降速度，保证EMI还有和VD MOS相同的EMI特性。亚成微20W双绕组产品的温升性能及EMI测试波形。
亚成微在30-100W功率集成方案也在氮化镓快充方案上推出ZVS支持高压启动的工作模式。亚成微对大功率GaN功率集成方案采用风扇3型制作了特殊的包装技术D封装技术能有效避免塌丝、冲丝、胶丝的风险，保证内部高压距离。
GaN它是晶圆表面的表面导电功率装置，具有散热设计和传统VD MOS不同。MOS底部漏极，可焊接或导电胶粘合，通过底部焊盘导热。GaN事实上，表面需要散热处理。亚成微采用铜柱倒装工艺，从表面散热连接到散热焊盘，保证热阻小。内部采用扇形包装，可设计布线宽度和间距，确保包装问题无风险，确保大功率设备工作的稳定性和可靠性。封装为叠层设计，类似PCB同时，通过改变接线宽度，可以保证大功率的大通流特性。
亚成微30W合封GaN PD电源方案采用亚成微自主研发的包装技术和DFN5*6包装，外围简化，有效降低成本。采用QR工作模式，内部集成700V支持130高压启动KHz工作频率、内置抖频技术、综合斜坡补偿、内置多种保护功能。
以下是亚成微同步整流的功率集成产品，亚成微30W采用内部产品SO8封装，40-65W以上采用DFN5*6包装能有效解决大功率同步整流的散热问题。两种同步整流芯片均支持高低侧使用DCM/QR/CCM有10种工作模式nS超快关闭延迟和25ns超短死区时间支持最高350KHz工作频率。
亚成微65W氮化镓密封产品EMI测试结果是将功率器件与控制器密封在一起，没有外围设备的匹配和调整。在开发初期，通过驱动设计优化，确保产品在密封下仍然优秀EMI表现。
亚成微AC-DC产品路线图包括现有的双绕组功率集成方案和65W和30W内置GaN电源集成方案，副边同步整流芯片，后续亚成微将推出高频GaN驱动器和ACF架构产品。
亚成微推出了自己的功率集成方案，将功率器件与控制器相匹配，辅以合理包装。亚成微的功率集成方案可以减少寄生参数，简化外围元件的数量，满足低成本、高可靠性和高效率的需求。
亚成微的特殊包装技术采用扇形3D封装技术能有效避免塌丝、冲丝、胶丝的风险，保证内部高压距离，保证芯片在合封GaN铜柱连接采用倒装技术，符合氮化镓特性，可降低芯片热阻，降低温升。此外，亚成微还展示了基于合封的内容GaN功率集成芯片 65同步整流功率集成芯片W、30W高功率密度快速充电方案。
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