CFan曾在《性能最多相差78倍！揭开存储卡的速度之谜！》解读过存储卡的速度之谜，今天咱们将目光放在同样基于NAND闪存设计的U盘（闪存盘）领域，看看这种存储设备的速度如何区分高下。
我们可以将闪存盘理解为“自带USB接口的存储卡”。
只是，闪存盘的体型相对更大一些，其实际性能全看内置的闪存和主控芯片的规格，对终端设备没有太高要求（只要支持对应的USB3.x Gen1/2标准的接口即可）。
目前闪存盘的主控生产厂商主要以群联(Phison)、慧荣（SMI）、鑫创（SSS）、联阳（ITE）、安国（ALCOR）、银灿（Innostor）为主。
闪存盘领域可要比存储卡复杂多了。从形态上，闪存盘包含Nano迷你型、单接口型、双接口型（同时配备USB-A和USB Type-C）；从速度上，闪存盘还存在USB2.0、USB3.0/3.1/3.2 Gen1（5Gbps）和USB3.1/3.2 Gen2（10Gbps）。
Nano迷你型的闪存盘普遍采用了“黑胶体封装”（又称UDP黑胶体和PIP封装技术），所有零部件一次成型，闪存盘内部主体上没有一丝缝隙，也因此获得了不易损坏、可靠性高、防水、防震、防尘、防磁等优点。
电脑不过，这种结构的闪存盘性能普遍一般（速度多在200MB/s以内），最大的优势就是小巧便携不占空间。
但凡事都有例外，三星FIT升级版+虽然也是Nano迷你型，但速度依旧可达400MB/s，应该是三星解决了高性能主控的小型化封装技术，代价则是成本更高。
128GB/256GB版速度才能达到400MB/s，64GB版会降至300MB/s
更高速度的闪存盘普遍采用闪存和主控芯片分离的设计，部分型号可以实现超过400MB/s的读取速度，主要是因为它们内部是由SSD主控芯片+闪存芯片+USB桥接芯片组成，所以还被不少网友誉为“固态闪存盘”（USSD）。以闪迪CZ880为例，这款高端闪存盘就采用了祥硕科技ASMedia ASM1153E SATA3（6Gbps）To USB3.1 Gen1（5Gbps）的转接芯片。
需要注意的是，高端闪存盘未来的发展趋势是摒弃了过去的桥接设计，直接集成更高性能的单主控芯片。比如金士顿DataTraveler Max就内置慧荣SM2320主控，在单芯片（不算闪存）的基础上就支持USB3.2 Gen2标准，实际传输速率可达1000MB/s。
去年初，群联还发布了全球首个和最快的USB3.2 Gen2×2（20Gbps）闪存盘主控（PS2251-18），其连续读取速度高达1900MB/s，连续写入性能也能达到1700MB/s，堪比中端PCIe 3.0 SSD。群联曾表示，PS2251-18主控无需桥接控制器，降低了成本，简化了PCBA设计。与基于桥接的USB外部SSD相比，能效提高了56%。
但是，这种超高速闪存盘也遇到了一些问题——为了解决高速度衍生的发热问题，体积不可能太小，而且价格较之同容量200MB/s级别的闪存盘至少翻了一番。更尴尬的是，目前连标配USB3.2 Gen2接口（10Gbps）的电脑还未普及，很多普通消费者哪怕咬牙购买也会“英雄无用武之地”。
总之，闪存盘是最通用的NAND介质存储产品，主控对其性能影响至关重要，上限极高，下限极低。需要注意的是，很多不知名品牌为了降低成本，会为闪存盘搭配“白片”甚至“黑片”闪存颗粒，对稳定性和寿命的影响很大。所以强烈建议大家优先挑选金电脑士顿、三星、闪迪等一线品牌旗下的产品。
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